Otvetim-net.ru

Для создателей, стоящих за образованием новых примеров микросхем и микропроцессоров, сейчас логично, что физические лимиты кремния недалеки и скоро данный источник преобразуется из рабочей лошади сегодняшней схемотехники в остаток прошлого.

Основной кандидат на замену кремнию, по словам многих специалистов, — это графен, являющий собой двухмерный пример более распространенного кристального графита.

Специалистов в данном источнике притягивает его оптимальная электропроводность и дееспособность отлично оперативно вести взаимодействие с электронами. На теоретическом уровне, данный источник способен в 100 раз стремительней вести электроны, чем хром. Это событие делает данный источник оптимальным для скоростных операций ядерного масштаба. Кроме этого, спортивные качества графена поддаются оптимальному наблюдению и переход его атомов из одного положения в другое (из полупроводникового в изолирующее) — это технологический вопрос.

На текущей неделе в академическом издании Science возникла объявление специалистов IBM, основавших графеновые действенные противоположные транзисторы, способные работать на скорости до 100 гигагерц, другими словами их атомы готовы переходить из одного положения в другое 100 млн раз за секунду. Ученые расположили рабочую поверхностью из графена на подложке из кремния. С помощью существующих технологий создания микрочипов техники из IBM потопили графеновый пласт в подложке и сделали особые затворки.

В статье IBM подчеркивается, что как раз этот подход имеет значение, в связи с тем что до сегодняшнего дня исследователи не оценивали вероятность интеграции графена в хром и оценивали эти 2 источника по раздельности. Графен, применяемый в опытах, был двуслойным, другими словами его длина составляла 2 ядерных пласта. Протяженность одного символического транзистора из графена составляет 240 нанометров, что разумеется больше сегодняшних 32-нанометровых кремниевых транзисторов, но в истории с графеном объемы транзистора не так актуальны, в связи с тем что они могут работать на значительно более больших скоростях.

Основной из существующих сейчас методов принятия графена базируется на машинном отщеплении либо отшелушивании слоёв графита. Он дает возможность приобретать наиболее высококачественные эталоны с повышенной подвижностью обладателей. Данный способ не представляет применения крупного создания, так как это прирученная операция. Другой знаменитый метод — способ теплового гниения подложки карбида кремния намного к индустриальному выпуску. Так как графен в первый раз был получен лишь в 2004 году, он ещё мало прекрасно исследован и притягивает к себе высокий энтузиазм.

В экспериментальной корпорации IBM в Нью-Йорке рассказывают, что графен может стать главным объектом для грядущих наноэлектрических механизмов. В будущем графен будет аналогичным, чем 50 лет тому назад стал хром.

«Сегодня мы сообщаем об образовании первоклассного графенового транзистора, может показаться, что 26 гигагерц не смотрятся впечатляюще, в связи с тем что рекорд в 1000 гигагерц принадлежит транзисторам из фосфида индия. Но 26 гигагерц — это совершенно хорошо сперва. Для того, чтобы сделать кремневый триод с такой частотой понадобилось 40 лет», — рассказывают в IBM.

В IBM рассказывают, что из всех вероятно многообещающих веществ для схемотехники как раз графен имеет минимальное время отзыва на наличие электрического поля. Значит, тут один из наиболее больших резервов по грядущему наращиванию частоты работы. Со слов инженеров, в настоящее время графеновые транзисторы работают на частоте около 30 ГГц, но при максимальной версии графеновый чипсет может работать на частоте в 100 ГГц.