Май 29th, 2025 
raven000 К симпозиуму VLSI Technology 2018 бельгийский центр Imec приготовил 2 сопряженных документа, в которых открыл виды изготовления транзисторных строений с техническими общепризнанными мерками менее 5 hm. Эта разработка призвана одолеть базовое ограничение, сопряженное с потребностью понижать габариты транзисторных частей. По мере понижения габаритов частей, например — разреза транзисторных телеканалов, уменьшаются также предельно дозволенные значения токов, которые можно впускать через триод.
Диаграммное изображение транзисторных телеканалов в поперечном сечении: но) FinFET, б) нанопровода, в) наностраницы
Чтобы продлить понижать габариты транзисторов и не утрачивать в мощности решений, Imec предлагает в роли источника канала транзистора применять не хром, но германий. В 1-м документе ученые с числами на руках установили важность утилитарного применения германия в телеканалах равнинных транзисторов с p-проводимостью (pFET) для техпроцессов с общепризнанными мерками менее 5 hm. При этом канал транзистора совершается в качестве нанопроводника (nanowire).
Пока, даже сделанный из германия 1 нанопроводной канал не в состоянии снабдить необходимых токовых данных для транзисторов нужной функциональности. Потому в третьем документе ученые говорят о круговых затворах вокруг нанопроводников-каналов (gate-all-around) и о технологии стековой сборки телеканалов, когда любой транзисторный канал представляет из себя совокупность нескольких наполненных друг на дружку нанопроводников-каналов любой с собственным круговым затвором. Итоговое разделение всех телеканалов оказывается необходимым, чтобы не формировать току большого противодействия. Также в такой стековой системы чужеядная ёмкость оказывается меньше, чем если б у транзистора был 1 суммарный канал.
Настоящее изображение разреза транзисторных телеканалов с затворами вокруг наностраниц (IBM, процесс 5 hm)
Ещё одна тонкость состоит в том, что в роли источника для канала применяется не только германий, так именуемый напряжённый германий. Это далеко не новая система, её для кремния применяют все изготовители микропроцессоров. Резон этого действа — продлить атомную решётку источника и сделать лучше переносимость перемещения электронов. Этим самым германий, который и так владеет самой лучшей мобильностью электронов, чем хром, становится ещё лучше.
Всё выше сказанное эксперты Imec осуществили в «железе», сотворив и показав полевой триод p-типа с круговым затвором и каналом из нанопроводов. Впрочем, для этого была применена производственная платформа 14/16 hm. Однако принцип ясен и он действует. Партнёрами центра по данной платформе играют компании GlobalFoundries, Huawei, Intel, Micron, Qualcomm, «Самсунг», SK Hynix, Сони Semiconductor Solutions, TOSHIBA Memory, TSMC и Western Диджитал, чьи имена рассказывают сами за себя.
Опубликовано в рубрике 
