Июль 3rd, 2023 
raven000 По сведениям источников, в Государственном суде Техаса жюри присяжных вынесло приговор о виновности компании «Самсунг» в патентом пререкании с южнокорейским факультетом KAIST (Korea Advanced Institute of Science and Technology). Североамериканское отделение KAIST IP со штаб-квартирой в Далласе дало иск против «Самсунг» о несоблюдении требований лицензирования ведущих технологий. Например, «Самсунг» будто бы нелегально пользовалась подготовками факультета в сфере образования отвесных затворов транзисторов (FinFET).
Конструкция типического FinFET транзистора (WikiChip)
По словам жюри, «Самсунг» нелегально и намеренно применяла подготовки KAIST, за что должна заплатить институту $400 млрд. Совместно с «Самсунг» изначально нарекания были подняты против организаций GlobalFoundries и Qualcomm. Первая была виновата в лицензировании технологии изготовления с применением FinFET у компании «Самсунг», но 2-я заказывала продукцию у южнокорейского полупроводникового великана. По словам жюри, GlobalFoundries и Qualcomm в этом случае являются неповинными.
Иск против «Самсунг» был подан в январе 2016 года. Представители факультета утверждали, что «Самсунг» в своё время думала технологию FinFET пустой растратой времени и заинтересовалась ею лишь тогда, когда организация Intel запатентовала свои подготовки в данной области и начала раздавать лицензии на применение отвесных транзисторных строений.
http://ru.wikipedia.org
Нам всё это представляется выпитым из пальца, так как технологиями FinFET крепко занимались все изготовители ещё с начала «свежих» годов. Так, одной из первых квалифицированный выпуск FinFET-структур в 2002 году начала организация AMD на основе центра Калифорнийского института в Беркли (привет из прошлого компании GlobalFoundries). В данном же году на пресс-конференции IEDM о FinFET-транзисторах из трёх рёбер сообщила организация Intel, но IBM сделала отчет на тематику отвесных транзисторных телеканалов. Организация TSMC также с компанией учёных в том же Калифорнийском институте формировала собственные FinFET-структуры. Организация «Самсунг» позднее подключилась в данный процесс, однако она активно работала с учеными IBM, и ей незачем были подготовки KAIST. Фактически, «Самсунг» планирует передать апелляцию на судейское решение, принятое в Техасе.
Опубликовано в рубрике 
