Май 1st, 2023 
raven000 В эти дни «Самсунг» доказала проекты применения сканеров EUV для производства DRAM. Но в процессе пресс-конференции VLSI открыла детали о собственной 7-нм технологии, сформированной на EUV. Новая автография предлагает обширный диапазон плюсов для чипов компании, которые, как предполагалось, могут выйти в Галакси С10. «Самсунг» планирует первой на рынке начать применение технологии EUV, сулящей ряд выгод сравнивая с классическими приборами, поставляемыми ASML либо Nikon.
Первый торговый принтер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)
Сегодня литографские приборы применяют свет с шириной волны 193 hm. EUV (фотолитография в основательном ультрафиолете) — новое поколение приборов распечатки чипов, оснащённых сканерами с шириной волны 13,5 hm. К примеру, свежие сканеры позволили «Самсунг» сделать самые малые FinFET-транзисторы во всем мире. В общем свежий 7-нм процесс компании, как рассказывает корейский изготовитель, дает возможность на 40 % повысить насыщенность логики чипов сравнивая с её 10-нм общепризнанными мерками, применяемыми в Snapdragon 845 и Exynos 9810.
Это далеко не единственное превосходство: «Самсунг» говорит о увеличении на 70 % правильности фотошаблонов, что дает возможность уменьшить число циклов обработки и, как следствие, существенно понизить себестоимость. Сравнивая со 193-нм сканерами свежее EUV-оборудование от ASML также помогает стремительней увеличивать долю исхода пригодных кристаллов, что также повышает экономию.
Сейчас корейский великан достиг изготовления 256-Мбит испытательных кристаллов SRAM с применением 7-нм общепризнанных мерок с частью исхода пригодных чипов не менее 50 %. Также, организация отпечатала целиком трудоспособную 7-нм монокристаллическую технологию с четырёхъядерным CPU и шестиядерным GPU. «Самсунг» говорит, что свежие 7-нм нормы EUV обеспечивают рост мощности на 20–30 % либо падение энергопотребления на 30–50 % (другими словами до 2-ух раз).
Пока, процесс прохода от рискового изготовления в 2018 году до полновесной многочисленной распечатки кристаллов может занять у «Самсунг» 12 лет и не менее. Иначе говоря, не следует рассчитывать, что свежий передовой микролит «Самсунг», который придёт на замену Exynos 9820, будет произведён с соблюдением 7-нм общепризнанных мерок EUV. По-видимому, в Галакси С10 будет применяться чипсет на основе 8-нм LPP техпроцесса «Самсунг» — такой же используется будто бы в изготовлении Snapdragon 730. К слову, «Самсунг» доказала, что может перевести чипсеты Qualcomm с 10-нм FinFET-печати на 8-нм процесс, таким образом можно ожидать анонса ряда свежих 8-нм микропроцессоров Snapdragon.
Тем временем TSMC соблюдает иного подхода в изучении 7-нм общепризнанных мерок: тайваньская организация базируется на переработанные литографские приборы вместо изучения ULV-сканеров. За счёт этого её процесс CLN7FF готов к групповому изготовлению, но к концу года предполагается, что число 7-нм товаров, достигших ступени tapeout, превзойдет 50 и будет подключать монокристаллические системы, серверные CPU, графические и ИИ-ускорители, FPGA и сетевые микропроцессоры. Одним из них играет, согласно слухам, Эпл A12, который будет в свежих Айфон.
Опубликовано в рубрике 
