Ноябрь 30th, 2023 
raven000 Как рассказывает интернет-ресурс News1 Korea, важный управляющий компании «Самсунг» Электроникс в эти дни доказал желание компании-производителя производить микросхемы материнской платы вида DRAM с применением сканеров спектра EUV (13,5 hm). Раньше о такой возможности передавалось, однако сейчас прозвучал формальный комментарий «Самсунг». При помощи EUV-проекции ожидается производить 16-нм DRAM со стартом платного изготовления к 2020 году. Потом при помощи EUV-проекции организация рассчитывает также производить 17-нм память.
Первый торговый принтер ASML для EUV-литографии (NXE:3300B)
На данный момент, напоминаем, «Самсунг» для производства микросхем памяти применяет 193-нм сканеры. Организация перешла к изготовлению DRAM с применением 2-го поколения техпроцесса с общепризнанными мерками класса 10 hm (это 17-нм либо 16-нм процесс, в то время как первая генерация техпроцесса базировалось на 18-нм нормы). Как видим, организация очень хорошо управляется с производством DRAM без прохода на EUV-сканеры. Для этого для производства критически значительных слоёв она применяет поочередно по 4 фотошаблона и 4 цикла обработки (система Quadruple Patterning Technique, QPT). К слову, она первой во всем мире использовала четырёхкратную проекцию для производства памяти и вновь будет первой, если начнёт производить память при помощи литографии EUV.
В оптимальном случае сканеры спектра EUV помогут уменьшить количество производственных циклов (и фотошаблонов) для производства любого пласта с четырёх циклов до одного. Это касается производства памяти 10-нм класса, для производства DRAM с общепризнанными мерками от 7 hm и ниже понадобится больше одного стандарта на пласт. Просто-напросто говоря, «Самсунг» собирается значительно уменьшить траты на изготовление DRAM почти без повышения повышения насыщенности записи.
Что же касается соперников, то организация Micron разрабатывает 13-нм DRAM, которую рассчитывает начать производить с 2020 года в Японии на прежних автозаводах Elpida Memory. Будет ли она применять для этого сканеры EUV, в настоящее время неясно, разработка техпроцесса лишь началась. Организация SK Hynix готовится производить в 2019 году DRAM с применением техпроцесса с общепризнанными мерками 17 либо 16 hm. Сканеры EUV она при этом применять не будет. Потому есть ненулевая возможность, что «Самсунг» вновь сделает небольшую переворот, первой начав производить чипсеты DRAM на сверхсовременном EUV-оборудовании.
Опубликовано в рубрике 
